Divulgação de Bolsas para o projeto “Caracterização, Modelagem e Aplicações de Dispositivos de Nitreto de Gálio (GaN)”
Estão abertas 3 vagas para atuação no projeto de pesquisa “Caracterização, Modelagem e Aplicações de Dispositivos de Nitreto de Gálio (GaN)”, em parceria com a Chipus Microeletrônica S.A., com início em 01/09/2025:
- 1 Bolsa de Mestrado
- 1 Bolsa de Doutorado
- 1 Bolsa de Pós-Doutorado
Interessados devem submeter suas inscrições em: https://forms.cloud.microsoft/r/ZsVSNMB2Vt
O candidato deverá atender aos critérios da Chamada CNPq / Nº 009/2024: Programa de Mestrado e Doutorado para Inovação – MAI/DAI, do projeto de pesquisa com a Chipus Microeletrônica S.A, e do Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica (PPGEEL/UFSC).
Resumo do Projeto: Este projeto tem como objetivo a investigação aprofundada de dispositivos de potência baseados em Nitreto de Gálio (GaN), com foco na sua caracterização elétrica, modelagem matemática e avaliação de desempenho em aplicações práticas. A primeira etapa envolve a caracterização estática e dinâmica de transistores GaN, utilizando técnicas como o teste de duplo pulso e análise de parâmetros parasitas. Em seguida, modelos comportamentais e físicos serão desenvolvidos ou refinados para representar com fidelidade os fenômenos observados, incluindo efeitos de comutação rápida, capacitâncias não-lineares e limitações térmicas. Por fim, os dispositivos serão integrados em aplicações de conversão de energia, como inversores e conversores CC-CC de alta frequência, visando demonstrar as vantagens dos semicondutores GaN em termos de eficiência, densidade de potência e redução de perdas. O projeto contribui para o avanço do estado da arte em eletrônica de potência e apoia o desenvolvimento de tecnologias mais eficientes para aplicações em energias renováveis, mobilidade elétrica e sistemas industriais.